FDS9945备选型号: SSD2025TF
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)21 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99100MOhm60V2W鸥翼3.5ADual增强型MOSFET2W7 ns1W2 N-Channel (Dual)SWITCHING100m Ω @ 3.5A, 10V3V @ 250μA420pF @ 30V13nC @ 5V4.3ns3 ns3.5A2.5V20V60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门2.5 V1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
- MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC-48 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8--2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)----Obsolete1 (Unlimited)---60V2W-3A--2W--2 N-Channel (Dual)-100m Ω @ 3.3A, 10V1V @ 250μA-30nC @ 10V18ns23 ns3.3A-20V60V-逻辑电平门------符合RoHS标准无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN6070SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO | 对比 |
| SSD2025TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 对比 |




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