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首页 全部分类 FDS9945 vs FDS4559

FDS9945备选型号: FDS4559

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 通道数量
  • 极性/通道类型
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    FDS9945
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO
    ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)
    21 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    100MOhm
    60V
    2W
    鸥翼
    3.5A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    7 ns
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 3.5A, 10V
    3V @ 250μA
    420pF @ 30V
    13nC @ 5V
    4.3ns
    3 ns
    3.5A
    2.5V
    20V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.5 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS4559
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS4559 - DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    4.5A 3.5A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    55MOhm
    -
    2W
    鸥翼
    4.5A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    1W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 4.5A, 10V
    3V @ 250μA
    650pF @ 25V
    18nC @ 10V
    10ns
    12 ns
    4.5A
    2.2V
    20V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.2 V
    1.75mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    2
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    60V
    90 mJ
    175°C
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