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首页 全部分类 FGA60N65SMD vs FGH50T65UPD

FGA60N65SMD备选型号: FGH50T65UPD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • 无铅
  • 箱体转运
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  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • ON Semiconductor
    FGA60N65SMD
    ON Semiconductor
    In a Tube of 30, ON Semiconductor FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    650V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600W
    70ns
    Single
    Standard
    18 ns
    600W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    120A
    47 ns
    2.5V @ 15V, 60A
    场站
    189nC
    180A
    18ns/104ns
    1.54mJ (on), 450μJ (off)
    20V
    6V
    68ns
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH50T65UPD
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 days ago)
    50 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    650V
    2.1V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    8541.29.00.95
    340W
    77ns
    Single
    Standard
    -
    340W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    100A
    53 ns
    2.3V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    230nC
    150A
    32ns/160ns
    2.7mJ (on), 740μJ (off)
    25V
    7.5V
    29ns
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    COLLECTOR
    TO-247AB
    101 ns
    185 ns
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