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首页 全部分类 FGA60N65SMD vs STGWT80H65DFB

FGA60N65SMD备选型号: STGWT80H65DFB

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • ON Semiconductor
    FGA60N65SMD
    ON Semiconductor
    In a Tube of 30, ON Semiconductor FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    650V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600W
    70ns
    Single
    Standard
    18 ns
    600W
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    120A
    47 ns
    2.5V @ 15V, 60A
    场站
    189nC
    180A
    18ns/104ns
    1.54mJ (on), 450μJ (off)
    20V
    6V
    68ns
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STGWT80H65DFB
    STMicroelectronics
    IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.756003g
    -
    650V
    1.6V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    469W
    -
    Single
    Standard
    -
    469W
    -
    N-CHANNEL
    650V
    120A
    85 ns
    2V @ 15V, 80A
    沟渠现场停车
    414nC
    240A
    84ns/280ns
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
    20V
    -
    -
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    STGWT80
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