STMicroelectronics STGWT80H65DFB

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

32 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.756003g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V

Test Conditions

400V, 80A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

469W

基本部件号

STGWT80

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

469W

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

120A

反向恢复时间

85 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 80A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

414nC

集极脉冲电流（Icm）

240A

Td（开/关）@25°C

84ns/280ns

开关能量

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅