FGM622S备选型号: NGTB10N60R2DT4G

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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Sanken
    IGBT 600V 16A TO-3PF
    36 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-3P-3 Full Pack
    600V
    150°C TJ
    Tube
    2015
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    60W
    未说明
    未说明
    Standard
    60W
    1.9V
    25A
    1.9V @ 15V, 25A
    40nC
    75A
    50ns/200ns
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    600V
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    72W
    -
    -
    Standard
    72W
    600V
    20A
    2.1V @ 15V, 10A
    53nC
    40A
    48ns/120ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    3
    1.7V
    e3
    Tin (Sn)
    not_compliant
    Single
    90 ns
    600V
    412μJ (on), 140μJ (off)
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
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