FGM622S备选型号: STGD14NC60KT4
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- IGBT 600V 16A TO-3PF36 Weeks表面贴装表面贴装TO-3P-3 Full Pack600V150°C TJTube2015yes活跃1 (Unlimited)60W未说明未说明Standard60W1.9V25A1.9V @ 15V, 25A40nC75A50ns/200ns符合RoHS标准无铅----------------------------
- IGBT 600V 25A 80W DPAK8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--活跃1 (Unlimited)80W26030Standard80W600V25A2.5V @ 15V, 7A34.4nC-22.5ns/116nsROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)3SILICONPowerMESH™e32EAR99Tin (Sn)600VDUAL鸥翼14ASTGD143R-PDSO-G2Single22.5 ns电源控制600VN-CHANNEL14A600V31.5 ns340 ns82μJ (on), 155μJ (off)20V6.5V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NGTB10N60R2DT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 25A 80W D2PAK | 对比 |
![]() | STGD14NC60KT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 25A 80W DPAK | 对比 |





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