FGM622S备选型号: STGB14NC60KDT4
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- 生命周期状态
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- 最大击穿电压
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- 长度
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- IGBT 600V 16A TO-3PF36 Weeks表面贴装表面贴装TO-3P-3 Full Pack600V150°C TJTube2015yes活跃1 (Unlimited)60W未说明未说明Standard60W1.9V25A1.9V @ 15V, 25A40nC75A50ns/200ns符合RoHS标准无铅-----------------
- IGBT 600V 25A 80W D2PAK8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--活跃1 (Unlimited)80W--Standard-600V25A2.5V @ 15V, 7A34.4nC50A22.5ns/116nsROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)32.1VPowerMESH™600V25ASTGB14Single80W8.5ns37 ns600V82μJ (on), 155μJ (off)4.6mm10.4mm9.35mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NGTB10N60R2DT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGB14NC60KDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 25A 80W D2PAK | 对比 |
![]() | STGD14NC60KT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 25A 80W DPAK | 对比 |





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