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IKW50N60H3FKSA1备选型号: STGW50H60DF

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT 600V 100A 333W TO247-3

16 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
3
SILICON
600V
-40°C~175°C TJ
Tube
TrenchStop®
2008
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
3
EAR99
Tin (Sn)
333W
3
Single
Standard
333W
电源控制
N-CHANNEL
600V
100A
130 ns
54 ns
2.3V @ 15V, 50A
297 ns
沟渠现场停车
315nC
200A
23ns/235ns
2.36mJ
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
-
-
STGW50H60DF

STMicroelectronics

IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode

-
通孔
通孔
TO-247-3
-
SILICON
600V
-55°C~150°C TJ
Tube
-
-
e3
-
Obsolete
1 (Unlimited)
3
EAR99
Tin (Sn)
360W
3
Single
Standard
360W
电源控制
N-CHANNEL
600V
100A
55 ns
91 ns
1.8V @ 15V, 50A
285 ns
沟渠现场停车
217nC
200A
62ns/178ns
890μJ (on), 860μJ (off)
无
ROHS3 Compliant
无铅
6.500007g
1.8V
STGW50
R-PSFM-T3
62 ns
20V
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