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IPB60R385CPATMA1备选型号: IPB65R225C7ATMA1
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- 安装类型
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB39A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2006noObsolete1 (Unlimited)EAR994Single83W10 nsN-Channel385m Ω @ 5.2A, 10V3.5V @ 340μA无卤素790pF @ 100V22nC @ 10V5ns600V±20V5 ns9A3V20V650V3 V无SVHC符合RoHS标准---------------------- Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-11A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C72008-Discontinued1 (Unlimited)--Single63W9 nsN-Channel225m Ω @ 4.8A, 10V4V @ 240μA无卤素996pF @ 400V20nC @ 10V6ns-±20V10 ns11A-20V650V--ROHS3 Compliant20 Weeks表面贴装3.949996gSILICONe32Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G21增强型MOSFETDRAINSWITCHINGTO-252650V0.225Ohm48 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPB11N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | 对比 |
 | STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |
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