Infineon Technologies IPB60R385CPATMA1
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IPB60R385CPATMA1
1211-IPB60R385CPATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
1最小包装量--
IPB60R385CPATMA1详情
Infineon Technologies IPB60R385CPATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
83W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2006
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
83W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
385m Ω @ 5.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 340μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
790pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
9A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
650V
栅源电压
3 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
IPB60R385CPATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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