我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IPB60R385CPATMA1备选型号: SPB11N60C3ATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB39A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2006noObsolete1 (Unlimited)EAR994Single83W10 nsN-Channel385m Ω @ 5.2A, 10V3.5V @ 340μA无卤素790pF @ 100V22nC @ 10V5ns600V±20V5 ns9A3V20V650V3 V无SVHC符合RoHS标准--------------------- MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-11A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005no不用于新设计1 (Unlimited)EAR994---N-Channel380m Ω @ 7A, 10V3.9V @ 500μA-1200pF @ 25V60nC @ 10V-650V±20V-------ROHS3 CompliantYESSILICONe32Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET11A0.38Ohm33A600V340 mJ
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPB11N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | 对比 |
 | STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |
哦! 它是空的。