我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IPB60R385CPATMA1备选型号: STB10N65K3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 底架
- 基本部件号
- 通道数量
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB39A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2006noObsolete1 (Unlimited)EAR994Single83W10 nsN-Channel385m Ω @ 5.2A, 10V3.5V @ 340μA无卤素790pF @ 100V22nC @ 10V5ns600V±20V5 ns9A3V20V650V3 V无SVHC符合RoHS标准----
MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB310A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH3™--Obsolete1 (Unlimited)EAR99-Single-14.5 nsN-Channel1 Ω @ 3.6A, 10V4.5V @ 100μA-1180pF @ 25V42nC @ 10V14ns-±30V35 ns10A-30V650V--ROHS3 Compliant表面贴装STB10N61无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPB11N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | 对比 |
| STB10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected | 对比 |
哦! 它是空的。