IPD042P03L3GATMA1备选型号: DMTH3004LK3-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON70A Tc2V @ 270μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2014yes活跃1 (Unlimited)2EAR99逻辑电平兼容SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING4.2m Ω @ 70A, 10V12400pF @ 15V175nC @ 10V30V±20V70A-1.5V0.0068Ohm280A269 mJ无SVHCROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 30V 21A TO25223 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63--1.9W Ta3V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-2015yes活跃1 (Unlimited)-EAR99-------N-Channel-4m Ω @ 20A, 10V2370pF @ 15V44nC @ 10V30V+20V, -16V75A----not_compliantROHS3 Compliant-e3Matte Tin (Sn)未说明未说明
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | IPD040N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 对比 |
![]() | IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 对比 |




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