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首页 全部分类 IPD042P03L3GATMA1 vs IPD031N03LGATMA1

IPD042P03L3GATMA1备选型号: IPD031N03LGATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD042P03L3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    70A Tc
    2V @ 270μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 70A, 10V
    12400pF @ 15V
    175nC @ 10V
    30V
    ±20V
    70A
    -1.5V
    0.0068Ohm
    280A
    269 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD031N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    90A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 30A, 10V
    5300pF @ 15V
    51nC @ 10V
    -
    ±20V
    90A
    -
    0.004Ohm
    400A
    60 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    e3
    Tin (Sn)
    94W
    9 ns
    无卤素
    6ns
    5 ns
    20V
    30V
    无
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