Infineon Technologies IPD042P03L3GATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 270μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2014

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2m Ω @ 70A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12400pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

175nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

70A

阈值电压

-1.5V

漏极-源极导通最大电阻

0.0068Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

雪崩能量等级（Eas）

269 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅