IPD042P03L3GATMA1备选型号: IPD040N03LGBTMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON70A Tc2V @ 270μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2014yes活跃1 (Unlimited)2EAR99逻辑电平兼容SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING4.2m Ω @ 70A, 10V12400pF @ 15V175nC @ 10V30V±20V70A-1.5V0.0068Ohm280A269 mJ无SVHCROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-90A Tc2.2V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008-不用于新设计1 (Unlimited)---------N-Channel-4mOhm @ 30A, 10V3900pF @ 15V38nC @ 10V30V±20V90A-----ROHS3 Compliant-PG-TO252-3-11175°C-55°CSingle7.4 ns20V30V3.9nF4mOhm4 mΩ2.41mm6.73mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | IPD040N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 对比 |
![]() | IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 对比 |



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