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首页 全部分类 IPD50R399CPATMA1 vs IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R399CPATMA1备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1

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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • Infineon Technologies
    IPD50R399CPATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 550V 9A DPAK-2
    26 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    3.949996g
    80 ns
    Tape & Reel (TR)
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    83W
    1
    Single
    83W
    35 ns
    14ns
    500V
    14 ns
    9A
    3V
    20V
    500V
    550V
    550V
    890pF
    399mOhm
    399 mΩ
    3 V
    2.413mm
    6.73mm
    6.223mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R1K4CEAUMA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    23 ns
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    25W
    6.5 ns
    6ns
    500V
    30 ns
    3.1A
    -
    30V
    -
    550V
    -
    -
    -
    -
    -
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    3.5V @ 70μA
    CoolMOS™ CE
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    N-Channel
    1.4 Ω @ 900mA, 13V
    178pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    ±20V
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