IPD50R950CEAUMA1备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 系列
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • Infineon Technologies
    MOSFET CONSUMER
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    34W
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    34W
    7 ns
    SWITCHING
    无卤素
    4.9ns
    500V
    N-CHANNEL
    19.5 ns
    4.3A
    20V
    500V
    500V
    12.8A
    231pF
    68 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    950mOhm
    950 mΩ
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.1A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    not_compliant
    -
    Single
    -
    25W
    6.5 ns
    -
    -
    6ns
    500V
    -
    30 ns
    3.1A
    30V
    -
    550V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™ CE
    N-Channel
    1.4 Ω @ 900mA, 13V
    3.5V @ 70μA
    178pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    ±20V
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