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首页 全部分类 IPD65R950C6ATMA1 vs STD7N65M2

IPD65R950C6ATMA1备选型号: STD7N65M2

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPD65R950C6ATMA1
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    37W
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 200μA
    无卤素
    328pF @ 100V
    15.3nC @ 10V
    5.2ns
    ±20V
    13.6 ns
    4.5A
    20V
    650V
    0.95Ohm
    650V
    50 mJ
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD7N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    -
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    1
    -
    -
    -
    8 ns
    N-Channel
    -
    1.15 Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    270pF @ 100V
    9nC @ 10V
    20ns
    ±25V
    20 ns
    5A
    25V
    -
    -
    650V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    EAR99
    STD7
    3V
    无SVHC
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