IPL60R185C7AUMA1备选型号: IPA60R230P6XKSA1

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-PowerTSFN
    4
    SILICON
    77W Tc
    4V @ 260μA
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C7
    2008
    -40°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    2A (4 Weeks)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    185m Ω @ 5.3A, 10V
    无卤素
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    ±20V
    13A
    600V
    0.185Ohm
    53 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    18 Weeks
    表面贴装
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    16.8A Tc
    4.5V @ 530μA
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    230mOhm @ 6.4A, 10V
    无卤素
    1450pF @ 100V
    31nC @ 10V
    ±20V
    16.8A
    600V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO220-FP
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    12 ns
    7ns
    600V
    6 ns
    20V
    600V
    1.45nF
    207mOhm
    230 mΩ
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