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首页 全部分类 IRF7303QTRPBF vs IRF7379TRPBF

IRF7303QTRPBF备选型号: IRF7379TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF7303QTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2W
    IRF7303QPBF
    增强型MOSFET
    2W
    6.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    21ns
    30V
    7.7 ns
    4.9A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7379TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    5.8A 4.3A
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.5W
    IRF7379PBF
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    N and P-Channel
    45m Ω @ 5.8A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    -
    -
    -
    5.8A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    8
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    5.8A
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    0.045Ohm
    30V
    46A
    无铅
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