IRF7316GTRPBF备选型号: IRF7303QTRPBF

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  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 操作模式
  • 场效应管技术
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    4.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2W
    IRF7316GPBF
    Dual
    2W
    13 ns
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    58mOhm @ 4.9A, 10V
    1V @ 250μA
    710pF @ 25V
    34nC @ 10V
    20ns
    30V
    48 ns
    4.9A
    20V
    -30V
    710pF
    逻辑电平门
    58mOhm
    58 mΩ
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2W
    IRF7303QPBF
    -
    2W
    6.8 ns
    -
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    21ns
    30V
    7.7 ns
    4.9A
    20V
    -
    -
    Standard
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    增强型MOSFET
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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