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首页 全部分类 IRF7316GTRPBF vs STS4DNFS30

IRF7316GTRPBF备选型号: STS4DNFS30

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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF7316GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    4.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2W
    IRF7316GPBF
    Dual
    2W
    13 ns
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    58mOhm @ 4.9A, 10V
    1V @ 250μA
    710pF @ 25V
    34nC @ 10V
    20ns
    30V
    48 ns
    4.9A
    20V
    -30V
    710pF
    逻辑电平门
    58mOhm
    58 mΩ
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • STMicroelectronics
    STS4DNFS30
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    5V 10V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    STS4D
    -
    2W
    -
    -
    N-Channel
    55m Ω @ 2A, 10V
    1V @ 250μA
    330pF @ 25V
    4.7nC @ 5V
    17ns
    -
    6 ns
    4.5A
    20V
    30V
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e4
    8
    EAR99
    镍钯金
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    ±20V
    13A
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