IRF7769L1TRPBF备选型号: IPB160N08S403ATMA1

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    15
    SILICON
    20A Ta 124A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    Single
    增强型MOSFET
    3.3W
    DRAIN
    44 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 74A, 10V
    4V @ 250μA
    11560pF @ 25V
    300nC @ 10V
    32ns
    100V
    ±20V
    41 ns
    124A
    20V
    375A
    0.0035Ohm
    500A
    260 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin TO-263 T/R
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    -
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    18 ns
    N-Channel
    -
    3.2mOhm @ 100A, 10V
    4V @ 150μA
    7750pF @ 25V
    112nC @ 10V
    11ns
    80V
    ±20V
    38 ns
    160A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    PG-TO263-7-3
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    175°C
    -55°C
    无卤素
    80V
    7.75nF
    3.2 mΩ
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