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首页 全部分类 IRFH4257DTRPBF vs BSC032NE2LSATMA1

IRFH4257DTRPBF备选型号: BSC032NE2LSATMA1

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  • 场效应管特性
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  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH4257DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    20 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    28W
    未说明
    未说明
    2
    Dual
    12 ns
    25W 28W
    2 N-Channel (Dual)
    3.4m Ω @ 25A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1321pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    51ns
    25V
    25 ns
    25A
    20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC032NE2LSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Channel 25V MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    22A Ta 84A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    1200pF @ 12V
    16nC @ 10V
    2.8ns
    -
    -
    22A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    26 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    no
    5
    DUAL
    无铅
    not_compliant
    8
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    ±20V
    25V
    336A
    20 mJ
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