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首页 全部分类 IRLHS6242TRPBF vs DMN2014LHAB-7

IRLHS6242TRPBF备选型号: DMN2014LHAB-7

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    IRLHS6242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    SILICON
    10A Ta 12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    9.6W
    DRAIN
    5.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.7m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1110pF @ 10V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    ±12V
    13 ns
    10A
    800mV
    12V
    20V
    88A
    800 mV
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2014LHAB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    7
    -
    9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    6.9 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    13m Ω @ 4A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1550pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    15.5ns
    -
    12 ns
    9.3A
    -
    12V
    -
    -
    -
    600μm
    3.05mm
    2.05mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    800mW
    260
    30
    20V
    逻辑电平门
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