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IXTY4N65X2备选型号: IPD50R800CEATMA1
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MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-25215 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装4A Tc2015Tube-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明N-Channel850m Ω @ 2A, 10V5V @ 250μA455pF @ 25V8.3nC @ 10V650V±30V4AROHS3 Compliant无铅-----------
Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R-TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装5A Tc2012Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJObsolete3 (168 Hours)----N-Channel800mOhm @ 1.5A, 13V3.5V @ 130μA280pF @ 100V12.4nC @ 10V500V±20V5A符合RoHS标准-3PG-TO252-3CoolMOS™ CE150°C-55°C6.2 ns5.5ns15.9 ns20V280pF800 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3 | 对比 |
| IPD50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |
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