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IXTY4N65X2备选型号: IPD65R950C6ATMA1
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-25215 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装4A Tc2015Tube-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明N-Channel850m Ω @ 2A, 10V5V @ 250μA455pF @ 25V8.3nC @ 10V650V±30V4AROHS3 Compliant无铅-----------------------
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-312 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装4.5A Tc2008Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)-未说明not_compliant未说明N-Channel950m Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 200μA328pF @ 100V15.3nC @ 10V-±20V4.5AROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free33.949996gSILICONCoolMOS™ C6e32Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFET37W6.6 nsSWITCHING无卤素5.2ns13.6 ns20V650V0.95Ohm650V50 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3 | 对比 |
| IPD50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |
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