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NDC632P备选型号: FDC6312P
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- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-662.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1998Obsolete1 (Unlimited)-20V-2.7A1.6WP-Channel140m Ω @ 2.7A, 4.5V1V @ 250μA550pF @ 10V15nC @ 4.5V40ns20V40 ns2.7A-8V-20V符合RoHS标准无铅---------------------------------- Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/R表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-662-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001活跃1 (Unlimited)-20V-2.3A960mW2 P-Channel (Dual)115m Ω @ 2.3A, 4.5V1.5V @ 250μA467pF @ 10V7nC @ 4.5V13ns20V13 ns2.3A8V-20VROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks36mgSILICONPowerTrench®e3yes6SMD/SMTEAR99115MOhmTin (Sn)960mW鸥翼未说明未说明不合格2Dual增强型MOSFET8 ns700mWSWITCHING-900mV-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门-900 mV1.1mm3mm1.7mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6312P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
 | ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | 对比 |
| FDFC2P100 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV | 对比 |
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