ON Semiconductor NDC632P
- 收藏
- 对比
NDC632P
1807-NDC632P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
1最小包装量--
NDC632P详情
ON Semiconductor NDC632P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
-20V
额定电流
-2.7A
功率耗散
1.6W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
140m Ω @ 2.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
550pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 4.5V
上升时间
40ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
2.7A
栅极至源极电压(Vgs)
-8V
漏源击穿电压
-20V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NDC632P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor









哦! 它是空的。