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NDC632P备选型号: FDFC2P100
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 正向电流
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 场效应管特性
- 达到SVHC
MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-662.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1998Obsolete1 (Unlimited)-20V-2.7A1.6WP-Channel140m Ω @ 2.7A, 4.5V1V @ 250μA550pF @ 10V15nC @ 4.5V40ns20V40 ns2.7A-8V-20V符合RoHS标准无铅------- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-663A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006Obsolete1 (Unlimited)--1.5WP-Channel150m Ω @ 3A, 4.5V1.5V @ 250μA445pF @ 10V4.7nC @ 10V11ns20V11 ns3A12V-20V符合RoHS标准-PowerTrench®1mA±12V-900mVSchottky Diode (Isolated)无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6312P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
 | ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | 对比 |
| FDFC2P100 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV | 对比 |
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