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首页 全部分类 NGTB03N60R2DT4G vs STGD10NC60KDT4

NGTB03N60R2DT4G备选型号: STGD10NC60KDT4

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  • 接通时间
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB03N60R2DT4G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB03N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
    27 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    300V, 3A, 30 Ω, 15V
    1.7V
    2017
    Tape & Reel (TR)
    175°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    49W
    not_compliant
    Single
    Standard
    49W
    600V
    9A
    65 ns
    600V
    2.1V @ 15V, 3A
    17nC
    12A
    27ns/59ns
    50μJ (on), 27μJ (off)
    6.22mm
    6.73mm
    2.38mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGD10NC60KDT4
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 20A 62W DPAK
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    600V
    2V
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    62W
    -
    Single
    Standard
    62W
    600V
    20A
    22 ns
    600V
    2.5V @ 15V, 5A
    19nC
    30A
    17ns/72ns
    55μJ (on), 85μJ (off)
    6.2mm
    6.6mm
    2.4mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    SILICON
    PowerMESH™
    2
    EAR99
    鸥翼
    STGD10
    3
    R-PSSO-G2
    COLLECTOR
    17 ns
    电源控制
    6.5ns
    N-CHANNEL
    23 ns
    242 ns
    20V
    7V
    无
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