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首页 全部分类 NGTB03N60R2DT4G vs STGD6NC60HDT4

NGTB03N60R2DT4G备选型号: STGD6NC60HDT4

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 接通时间
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB03N60R2DT4G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB03N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
    27 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    300V, 3A, 30 Ω, 15V
    1.7V
    2017
    Tape & Reel (TR)
    175°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    49W
    not_compliant
    Single
    Standard
    49W
    600V
    9A
    65 ns
    600V
    2.1V @ 15V, 3A
    17nC
    12A
    27ns/59ns
    50μJ (on), 27μJ (off)
    6.22mm
    6.73mm
    2.38mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGD6NC60HDT4
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 15A 56W DPAK
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    600V
    1.9V
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    56W
    -
    Single
    Standard
    -
    600V
    15A
    21 ns
    600V
    2.5V @ 15V, 3A
    13.6nC
    21A
    12ns/76ns
    20μJ (on), 68μJ (off)
    6.2mm
    6.6mm
    2.4mm
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    350.003213mg
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    鸥翼
    260
    15A
    30
    STGD6
    3
    R-PSSO-G2
    50W
    12 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-252AA
    17.3 ns
    6A
    222 ns
    20V
    5.75V
    无
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