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NGTB40N65FL2WG备选型号: FGH40T65UPD
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
ON SEMICONDUCTOR NGTB40N65FL2WGIGBT Single Transistor, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 2 days ago)21 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013g650V2.1V-55°C~175°C TJTube2011yes活跃1 (Unlimited)366WSingleStandard366W650V80A72 ns2V @ 15V, 40A沟渠现场停车170nC160A84ns/177ns970μJ (on), 440μJ (off)21.08mm16.26mm5.3mm无SVHCROHS3 Compliant无铅------------------
IGBT Transistors 650 V 80 A 268 WACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)50 Weeks通孔通孔TO-247-336.39g650V2.1V-55°C~175°C TJTube2013yes不用于新设计1 (Unlimited)268WSingleStandard268W650V80A43 ns2.3V @ 15V, 40A沟渠现场停车177nC120A20ns/144ns1.59mJ (on), 580μJ (off)20.82mm15.87mm4.82mm-ROHS3 Compliant无铅TinSILICONe33EAR998541.29.00.95未说明not_compliant未说明COLLECTOR电源控制N-CHANNELTO-247AB57 ns213 ns20V7.5V22ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 230W TO247 | 对比 |
| FGH50T65UPD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W | 对比 |
| FGH40T65UPD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650 V 80 A 268 W | 对比 |
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