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首页 全部分类 NGTB40N65FL2WG vs IHW40N65R5XKSA1

NGTB40N65FL2WG备选型号: IHW40N65R5XKSA1

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  • 宽度
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  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • ON Semiconductor
    NGTB40N65FL2WG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB40N65FL2WGIGBT Single Transistor, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    21 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    650V
    2.1V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    366W
    Single
    Standard
    366W
    650V
    80A
    72 ns
    2V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    170nC
    160A
    84ns/177ns
    970μJ (on), 440μJ (off)
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IHW40N65R5XKSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 650V 80A 230W TO247
    -
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    650V
    -
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    230W
    Single
    Standard
    230W
    650V
    80A
    90 ns
    1.7V @ 15V, 40A
    -
    193nC
    120A
    30ns/258ns
    630μJ (on), 140μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    TrenchStop®
    e3
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    电源控制
    无卤素
    N-CHANNEL
    59 ns
    321 ns
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