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NGTB40N65FL2WG备选型号: FGH50T65UPD
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- 最大功率耗散
- 元素配置
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- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 上升时间-最大值
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 辐射硬化
ON SEMICONDUCTOR NGTB40N65FL2WGIGBT Single Transistor, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 2 days ago)21 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013g650V2.1V-55°C~175°C TJTube2011yes活跃1 (Unlimited)366WSingleStandard366W650V80A72 ns2V @ 15V, 40A沟渠现场停车170nC160A84ns/177ns970μJ (on), 440μJ (off)21.08mm16.26mm5.3mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------------
IGBT Transistors 650 V 100 A 240 WACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 days ago)50 Weeks通孔通孔TO-247-336.39g650V2.1V-55°C~175°C TJTube2013yes不用于新设计1 (Unlimited)340WSingleStandard340W650V100A53 ns2.3V @ 15V, 50A沟渠现场停车230nC150A32ns/160ns2.7mJ (on), 740μJ (off)20.82mm15.87mm4.82mm-ROHS3 Compliant无铅SILICONe33EAR99Tin (Sn)8541.29.00.9577nsCOLLECTOR电源控制N-CHANNELTO-247AB101 ns185 ns25V7.5V29ns无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 230W TO247 | 对比 |
| FGH50T65UPD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W | 对比 |
| FGH40T65UPD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650 V 80 A 268 W | 对比 |
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