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首页 全部分类 PSMN0R7-25YLDX vs IRF6718L2TRPBF

PSMN0R7-25YLDX备选型号: IRF6718L2TRPBF

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  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN0R7-25YLDX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 25V LFPAK56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1023, 4-LFPAK
    4
    SILICON
    300A Tc
    2.2V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    0.72m Ω @ 25A, 10V
    8320pF @ 12V
    110.2nC @ 10V
    25V
    ±20V
    300A
    0.00092Ohm
    25V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6718L2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L6
    13
    SILICON
    47 ns
    2.35V @ 150μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    7
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    BOTTOM
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    0.7m Ω @ 61A, 10V
    6500pF @ 13V
    96nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    61A
    0.0007Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    e1
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    R-XBCC-N7
    Single
    4.3W
    67 ns
    140ns
    53 ns
    20V
    270A
    25V
    490A
    530 mJ
    7.1mm
    508μm
    9.144mm
    无
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