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首页 全部分类 PSMN0R9-25YLDX vs BSB008NE2LXXUMA1

PSMN0R9-25YLDX备选型号: BSB008NE2LXXUMA1

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  • RoHS状态
  • 系列
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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • HTS代码
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  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN0R9-25YLDX
    Nexperia USA Inc.
    PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    4
    SILICON
    300A Tc
    2.2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    0.85m Ω @ 25A, 10V
    6721pF @ 12V
    89.8nC @ 10V
    25V
    ±20V
    300A
    MO-235
    0.0012Ohm
    1614A
    25V
    3343 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSB008NE2LXXUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-WDSON
    3
    SILICON
    2.8W Ta 89W Tc
    2V @ 250μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    超低电阻
    BOTTOM
    无铅
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    0.8m Ω @ 30A, 10V
    16000pF @ 12V
    343nC @ 10V
    25V
    ±20V
    46A
    -
    0.0008Ohm
    400A
    25V
    600 mJ
    ROHS3 Compliant
    OptiMOS™
    e4
    yes
    EAR99
    Silver/Nickel (Ag/Ni)
    8541.29.00.95
    不合格
    12.6 ns
    无卤素
    47.2ns
    32.4 ns
    20V
    180A
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