PSMN0R9-25YLDX备选型号: NTMFS4H01NT3G
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 达到SVHC
- 无铅
- PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q112 Weeks表面贴装表面贴装SC-100, SOT-6694SILICON300A Tc2.2V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)4HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING0.85m Ω @ 25A, 10V6721pF @ 12V89.8nC @ 10V25V±20V300AMO-2350.0012Ohm1614A25V3343 mJROHS3 Compliant--------
- MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL4 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-54A Ta 334A Tc2.1V @ 250μA150°C TJTape & Reel (TR)2014ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)------Single--N-Channel-0.7m Ω @ 30A, 10V5693pF @ 12V85nC @ 10V25V±20V334A-----ROHS3 Compliante3yesEAR99Tin (Sn)未说明未说明not_compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS4C01NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | 对比 | |
| NTMFS4H01NT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL | 对比 | |
![]() | BSB008NE2LXXUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-WDSON | MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON | 对比 |




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