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首页 全部分类 PSMN0R9-25YLDX vs NVMFS4C01NT1G

PSMN0R9-25YLDX备选型号: NVMFS4C01NT1G

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  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN0R9-25YLDX
    Nexperia USA Inc.
    PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    4
    SILICON
    300A Tc
    2.2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    0.85m Ω @ 25A, 10V
    6721pF @ 12V
    89.8nC @ 10V
    25V
    ±20V
    300A
    MO-235
    0.0012Ohm
    1614A
    25V
    3343 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C01NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    49A Ta 319A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    5
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    -
    0.9m Ω @ 30A, 10V
    10144pF @ 15V
    139nC @ 10V
    30V
    ±20V
    319A
    -
    0.00095Ohm
    900A
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    1
    29 ns
    68ns
    36 ns
    20V
    not_compliant
    无铅
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