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首页 全部分类 R6004CNDTL vs IPD60R1K0CEATMA1

R6004CNDTL备选型号: IPD60R1K0CEATMA1

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  • DS 击穿电压-最小值
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  • 辐射硬化
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  • ECCN 代码
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ROHM Semiconductor
    R6004CNDTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4A CPT
    52 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    4A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Copper (Sn98Cu2)
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8 Ω @ 2A, 10V
    4.5V @ 1mA
    280pF @ 25V
    11nC @ 10V
    28ns
    600V
    ±25V
    39 ns
    4A
    25V
    4A
    16A
    600V
    1.1 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R1K0CEATMA1
    Infineon Technologies
    N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    4.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    -
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 130μA
    280pF @ 100V
    13nC @ 10V
    8ns
    600V
    ±20V
    13 ns
    4.3A
    20V
    -
    -
    600V
    46 mJ
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3.949996g
    CoolMOS™ CE
    yes
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    Single
    DRAIN
    1Ohm
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