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R6004CNDTL备选型号: STD5N60M2
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 漏源击穿电压
MOSFET N-CH 600V 4A CPT52 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON4A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2011e2不用于新设计1 (Unlimited)2Tin/Copper (Sn98Cu2)SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET23 nsN-ChannelSWITCHING1.8 Ω @ 2A, 10V4.5V @ 1mA280pF @ 25V11nC @ 10V28ns600V±25V39 ns4A25V4A16A600V1.1 mJ无ROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET POWER MOSFET16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON3.5A Tc150°C TJCut Tape (CT)--活跃1 (Unlimited)2--鸥翼R-PSSO-G2-增强型MOSFET11.8 nsN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 1.7A, 10V4V @ 250μA211pF @ 100V8.5nC @ 10V3ns-±25V15 ns3.5A25V---80 mJ-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)Tin3.949996gMDmesh™ II PlusEAR99未说明未说明STD5N1SingleDRAIN600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD5N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
 | IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | INFINEON IPD60R950C6 Power MOSFET, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK | 对比 |
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