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首页 全部分类 R6004CNDTL vs IPD60R950C6ATMA1

R6004CNDTL备选型号: IPD60R950C6ATMA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • Reach合规守则
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • ROHM Semiconductor
    R6004CNDTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4A CPT
    52 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    4A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Copper (Sn98Cu2)
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8 Ω @ 2A, 10V
    4.5V @ 1mA
    280pF @ 25V
    11nC @ 10V
    28ns
    600V
    ±25V
    39 ns
    4A
    25V
    4A
    16A
    600V
    1.1 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R950C6ATMA1
    Infineon Technologies
    INFINEON IPD60R950C6 Power MOSFET, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    4.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 130μA
    280pF @ 100V
    13nC @ 10V
    8ns
    -
    ±20V
    13 ns
    4.4A
    30V
    -
    -
    -
    46 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.949996g
    CoolMOS™ C6
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    37W
    DRAIN
    600V
    0.95Ohm
    600V
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