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RDN100N20FU6备选型号: FQP10N20CTSTU

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底架
安装类型
包装/外壳
引脚数
操作温度
包装
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
系列
电压 - 额定直流
额定电流
元素配置
功率耗散
栅极至源极电压(Vgs)
漏源击穿电压
无铅

RDN100N20FU6

ROHM Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

通孔
通孔
TO-220-3 Full Pack
3
10A Ta
150°C TJ
Bulk
2006
Obsolete
1 (Unlimited)
N-Channel
360m Ω @ 5A, 10V
4V @ 1mA
543pF @ 10V
30nC @ 10V
200V
±30V
10A
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
FQP10N20CTSTU

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220

通孔
通孔
TO-220-3
-
9.5A Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
2013
Obsolete
1 (Unlimited)
N-Channel
360m Ω @ 4.75A, 10V
4V @ 250μA
510pF @ 25V
26nC @ 10V
-
±30V
9.5A
符合RoHS标准
QFET®
200V
9.5A
Single
72W
30V
200V
无铅
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