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首页 全部分类 RDN100N20FU6 vs IRF630NPBF

RDN100N20FU6备选型号: IRF630NPBF

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  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
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  • 双电源电压
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RDN100N20FU6
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    10A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    360m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    543pF @ 10V
    30nC @ 10V
    200V
    ±30V
    10A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF630NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    9.3A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    300m Ω @ 5.4A, 10V
    4V @ 250μA
    575pF @ 25V
    35nC @ 10V
    -
    ±20V
    9.3A
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    3
    通孔
    EAR99
    300mOhm
    镍外哑光锡
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    200V
    250
    9.3A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    82W
    DRAIN
    7.9 ns
    SWITCHING
    14ns
    15 ns
    4V
    TO-220AB
    20V
    200V
    200V
    94 mJ
    176 ns
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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