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首页 全部分类 RDN100N20FU6 vs IRF630FP

RDN100N20FU6备选型号: IRF630FP

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RDN100N20FU6
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    10A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    360m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    543pF @ 10V
    30nC @ 10V
    200V
    ±30V
    10A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IRF630FP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    9A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    400m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 25V
    45nC @ 10V
    -
    ±20V
    9A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    MESH OVERLAY™ II
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    IRF6
    3
    Single
    增强型MOSFET
    30W
    ISOLATED
    10 ns
    SWITCHING
    15ns
    TO-220AB
    20V
    9A
    0.4Ohm
    200V
    无
    无铅
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