RDN100N20FU6备选型号: FQPF10N20C
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN通孔通孔TO-220-3 Full Pack310A Ta150°C TJBulk2006Obsolete1 (Unlimited)N-Channel360m Ω @ 5A, 10V4V @ 1mA543pF @ 10V30nC @ 10V200V±30V10AROHS3 Compliant------------------------------
- Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 38 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-220F通孔通孔TO-220-3 Full Pack39.5A Tc-55°C~150°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)N-Channel360m Ω @ 4.75A, 10V4V @ 250μA510pF @ 25V26nC @ 10V-±30V9.5AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)4 Weeks2.27gSILICONQFET®e3yes3EAR99Tin (Sn)200V9.5ASingle增强型MOSFET38WISOLATED11 nsSWITCHING92ns72 ns4VTO-220AB30V200V9.19mm10.16mm4.7mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF630FP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP | 对比 |
![]() | IRF630NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB | 对比 |
| FQP10N20CTSTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 | 对比 |




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