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RW1A025APT2CR备选型号: DMN1045UFR4-7
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- 晶体管元件材料
- 包装
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- JESD-609代码
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- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT610 Weeks表面贴装SILICON1Cut Tape (CT)2011e2yesDiscontinued1 (Unlimited)6EAR99Tin/Copper (Sn/Cu)400mWDUALFLAT260106R-PDSO-F6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING12VP-CHANNEL2.5A2nFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR44mOhm62 mΩROHS3 Compliant无铅-------------
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-322 Weeks表面贴装SILICON3.2A TaTape & Reel (TR)2014e4-活跃1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-DUAL无铅未说明未说明---SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING12V-3.2A----ROHS3 Compliant-表面贴装3-XFDFN3-55°C~150°C TJDRAINN-Channel45m Ω @ 3.2A, 4.5V1V @ 250μA375pF @ 10V4.8nC @ 4.5V±8V0.064Ohm12V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDN306P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
 | CPH3348-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 | 对比 |
| DMN1045UFR4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 | 对比 |
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