RW1A025APT2CR
RW1A025APT2CR

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ROHM Semiconductor RW1A025APT2CR

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型号

RW1A025APT2CR

utmel 编号

2078-RW1A025APT2CR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

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RW1A025APT2CR
RW1A025APT2CR ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

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RW1A025APT2CR详情

ROHM Semiconductor RW1A025APT2CR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Copper (Sn/Cu)

  • 最大功率耗散

    400mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    6

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    2.5A

  • 输入电容

    2nF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    44mOhm

  • 最大rds

    62 mΩ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ROHM Semiconductor RW1A025APT2CR.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RW1A025APT2CR相似的参数规格。

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RW1A025APT2CR拓展信息

RU1J002YNTCL
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RTR030N05TL
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RZM002P02T2L
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ROHM Semiconductor

RYC002N05T316
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ROHM Semiconductor

RSD140P06TL
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ROHM Semiconductor

RRR040P03TL
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RJP020N06T100
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RSM002N06T2L
RSM002N06T2L

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RS1G180MNTB
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RVQ040N05TR
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